BS250

Online Anfrage

BS250
Menge
25
Hersteller
Datecode
Beschreibung
Transistor P-FET 45 V 0.25 A 0.8 W TO92
BS250
Menge
300
Hersteller
Datecode
Beschreibung
BS250
Menge
47
Hersteller
Datecode
Beschreibung

Technische Spezifikation BS250

Polarity P-Channel
Breakdown Voltage [Gate to Source] -25.0 V to 25.0 V
Continuous Drain Current (Ids) -180 mA
Power Dissipation 830 mW
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 14.0 Ω
Number of Pins 18

Andere Hersteller für BS250

Siliconix ITT Philips, ITT Vishay SIEMENS PHILIPS

Ihre Hotline für ein Angebot: Tel. 0721 15108-0

Weitere Bauteile

Bezeichnung Hersteller Datecode Beschreibung
75361 HFO on stock, DIP14 package, HFO = VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder
2SJ76 Hitachi on stock, TO220 package
SN49LS705N TI on stock, DIP16
SN4929N TI 8322 on stock, DIP16
SN49LS704N TI 8905 on stock, DIP16
MC10H125P Motorola 8729 on stock, DIP16
DS45X Cherry 89+ on stock, micro switch 16A/250V
DM74S288AN NSC 8918 on stock, DIP16
N28F001BX-T120 Intel on stock, PLCC32, DC: U8490632D
MPSA13 on stock, TO92 package