2N5886 MOT
Online Anfrage
2N5886
- Ilość
- 20
- Producent
- MOT
- Data produkcji
- Opis
2N5886
- Ilość
- 89
- Producent
- MOT
- Data produkcji
- Opis
Technical Specification 2N5886
| Polarity | NPN, N-Channel |
| Breakdown Voltage [Collector to Emitter] | 80.0 V |
| Power Dissipation | 200 W |
| RoHS | Compliant |
| Case/Package | TO-3 |
| Number of Pins | 2 |
Hotline dla zainteresowanych daną ofertą
Tel.:
Tel. 0721 15108-0
Weitere Bauteile
| Oznaczenie | Producent | Data produkcji | Opis |
|---|---|---|---|
| 2N5461 | Transistor P-FET 40 V IDSS> 2 mA TO92 | ||
| 2N5494 | Transistor npn 60 V 6.5 A 50 W TO220 | ||
| 2N5551 | Transistor npn 180 V 600 mA 600 mW TO92 | ||
| 2N5680 | Transistor pnp 120 V 1.0 A 1.0 W TO39 | ||
| 2N5878 | Transistor npn 80 V 10 A 150 W TO3 | ||
| 2N6050 | Transistor pnp 60 V 12 A 150 W TO3 | ||
| 2N6051 | Transistor pnp 80 V 12 A 150 W TO3 | ||
| 2N6053 | Transistor pnp 60 V 8.0 A 100 W TO3 | ||
| 2N6054 | Transistor pnp 80 V 8.0 A 100 W TO3 | ||
| 2N6056 | Transistor npn 80 V 8.0 A 100 W TO3 |