IRF540

Online Anfrage

IRF540
Ilość
106
Producent
Data produkcji
Opis
Transistor N-MOSFET 100 V 30 A 150 W TO220
IRF540
Ilość
10
Producent
Data produkcji
Opis
IRF540
Ilość
3
Producent
Data produkcji
Opis

Technical Specification IRF540

Polarity N-Channel
Voltage Rating (DC) 100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V
Continuous Drain Current (Ids) 28.0 A
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V (min)
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V
Current Rating 28.0 A
Lead-Free Status Contains Lead
Mounting Style Through Hole
Packaging Tube
Case/Package TO-220
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 77.0 mΩ
RoHS Non-Compliant
Rise Time 44.0 ns
Power Dissipation 150 W

Other Manufacturers for IRF540

ON Semi IR

Hotline dla zainteresowanych daną ofertą
Tel.: Tel. 0721 15108-0

Weitere Bauteile

Oznaczenie Producent Data produkcji Opis
IRF520 Transistor N-MOSFET 100 V 10 A 70 W TO220
IRF520 MOT IRF520 TO220
IRF5210 Transistor
IRF530 Transistor N-MOSFET 100 V 16 A 90 W TO220
IRF530N Transistor
IRF540N Transistor
IRF620 Transistor N-MOSFET 100 V 5.0 A 40 W TO220
IRF620A Transistor
IRF621 Transistor
IRF623 Transistor